台式電腦內存供電引腳

A. 台式計算機DDR4內存條一般採用什麼介面

DDR4內存可以在普通電腦上使用嗎?DDR4是第四代內存，隨著電腦DDR4內存開始上市，有不少網友問到：DDR4內存可以用在普通電腦上嗎?簡而言之，就是以前買的舊電腦或者現在用的普通電腦能升級DDR4內存嗎?升級後會出現什麼問題嗎?針對這個問題，下面學習啦小編就為大家介紹一下具體的內容吧，歡迎大家參考和學習。

DDR4內存可以用在普通電腦上嗎?
內存是什麼?
內存(Memory)也被稱為內存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。內存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
DDR4內存可以用在普通電腦上嗎?
目前市面上絕大多數電腦配備的都是DDR3內存，內存主頻大多為1333Mhz或16000Mhz，而DDR4內存作為最新四代內存產品，最大的亮點在於頻率和帶寬得以提升，頻率基本都達到了2133Mhz以上，速度更快，而功耗更低。

DDR4內存主頻高達3000Mhz
不過，並不是所有的電腦都支持DDR4內存，它不僅需要CPU對DDR4內存的支持，並且主板也需要支持DDR4內存。簡單來說，電腦如果要使用DDR4內存，主板和CPU都必須支持DDR4內存。
在目前DIY電腦中，只有Intel最新Skylake六代處理器和B150、Z170新主板支持DDR4內存，很明顯，很多普通電腦用的都是四代酷睿處理器和版本更低的主板，不支持DDR4內存。
可以這么說，目前絕大多數普通電腦都不支持DDR4內存，如果想要體驗DDR4內存，需要同時升級主板和處理器或者購買六代Skylake平台電腦，這樣就可以體驗DDR4內存了。
編後語：
隨著Skylake六代處理器與配套的主板加入了對DDR4內存的支持，今後新裝Skylake平台電腦都可以搭載新一代DDR4內存，往下兼容DDR3內存。對於一些老電腦用戶來說，要體驗DDR4內存，需要更換新CPU和主板，花費不菲，加之DDR4內存相比DDR3內存，速度提升也不是特別大，對於老電腦用戶，就沒有必要去款CPU或主板來體驗DDR4內存了，如果真想體驗，倒不如新裝機。
以上就是學習啦小編為大家帶來的DDR4內存可不可以在普通電腦上使用的問題，希望可以幫助到大家。

看顆粒就行了 5ns就是400的 6ns就是333 7.5的就是266 現代的則不同了 舉個例子： hynix ddr sdram顆粒編號： hy xx x xx xx x x x x x x x - xx x 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整個ddr sdram顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。 顆粒編號解釋如下： 1． hy是hynix的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。 2． 內存晶元類型：（5d=ddr sdram） 3． 處理工藝及供電：（v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s：vdd=1.8v & vddq=1.8v） 4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64m 4k刷新；66：64m 2k刷新；28：128m 4k刷新；56：256m 8k刷新；57：256m 4k刷新；12：512m 8k刷新；1g：1g 8k刷新） 5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元） 6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 介面類型：（1=sstl_3；2=sstl_2；3=sstl_18） 8． 內核代號：（空白=第1代；a=第2代；b=第3代；c=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；l=低功耗型） 10．封裝類型：（t=tsop；q=lofp；f＝fbga；fc＝fbga（utc:8x13mm）） 11．封裝堆棧：（空白=普通；s=hynix；k=m&t；j＝其它；m=mcp（hynix）；mu＝mcp（utc）） 12．封裝原料：（空白=普通；p=鉛；h＝鹵素；r=鉛+鹵素） 13． 速度：（d43＝ddr400 3-3-3；d4=ddr400 3-4-4；j＝ddr333；m＝ddr333 2-2-2；k＝ddr266a；h＝ddr266b；l＝ddr200） 14．工作溫度：（i=工業常溫（-40 - 85度）；e=擴展溫度（-25 - 85度）） 記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代ddr sdram內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，這款內存實際的最高工作狀態是多少。 另外我補充幾點： 不知樓主的配置如何，各種主板配置內存不一樣。 1、如果是socket754平台，最好不要使用3條ddr400內存，不然會降到ddr333，這是受限於socket754處理器內存控制器的設計。 2、如果是socket939平台，最好不要用四條，如果用了，amd平台中「1t command」不能打開，從而大大降低性能。 3、如果是i915p/pl和i865pe平台，除了品牌、頻率、顆粒封裝要相同外，建議全部選用單面或全用雙面，不要單雙混用，這其實適合所有主板。 4、有些主板上的內存插槽有兩種顏色，同一種色組成一個雙通道，裝內存時要注意。

B. 電腦主機內存條在哪 （圖）

電腦主機的內存條在電腦主板的內存條卡槽里邊（內存條卡槽一般都是平行並且最長的兩個卡槽，位於主板CPU的旁邊，並且兩頭有用來取出內存條時按下去的槽卡）

(2)台式電腦內存供電引腳擴展閱讀

電腦內存條的作用

CPU在工作即處理問題時要從硬碟調用數據存放在內存條內，然後再從內存中讀取數據供自己使用，簡單的說內存是電腦的一個緩沖區

電腦將讀取的信息流首先放在臨時的存儲空間內存里即內存條，CPU與內存之間進行數據交換的速度是最快的，所有CPU要處理的數據會先從硬碟里提出來暫時放在內存里，CPU處理的時候需要的數據會直接從內存尋找

內存只是暫時(臨時)用來放數據的，斷電後內存里的東西就會消失，所以有什麼需要留下來的都得保存起來放硬碟里。

C. 台式機內存條正反怎麼樣放

台式機 內存條也有正反，那麼要怎麼樣去放呢?下面由我給你做出詳細的台式機內存條正反放法介紹!希望對你有幫助!

台式機內存條正反放法介紹一：

內存條直接插上去就可以了。

在內存條的金手指上有一個缺口，對應內存插槽內的一個隔斷，對准了插進去就行。

如果插反了，不使用暴力是插不下去的。

台式機內存條正反放法介紹二：

內存條下面凹槽對應主板插槽上的突起的地方，反著是插不進去的。

內存是電腦必不可少的組成部分，CPU可通過數據匯流排對內存定址。歷史上的電腦主板上有主內存，內存條是主內存的擴展。以後的電腦主板上沒有主內存，CPU完全依賴內存條。所有外存上的內容必須通過內存才能發揮作用。

台式機內存條正反放法介紹三：

內存條有防呆設計，仔細看看內存插槽的防呆口和內存的防呆口，對應的插進去就OK了。 另：如果防呆口沒有對應，是插不上內存的，這時別使勁插，有可能損壞內存或者插槽。

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內存條作用介紹

內存是電腦(PC機、單片機)必不可少的組成部分。與可有可無的外存不同，內存是以匯流排方式進行讀寫操作的部件;內存決非僅僅是起數據倉庫的作用。除少量 操作系統 中必不可少的程序長駐內存外，我們平常使用的程序，如Windows、Linux等系統軟體，包括打字軟體、游戲軟體等在內的應用軟體，雖然把包括程序代碼在內的大量數據都放在磁帶、磁碟、光碟、移動盤等外存設備上，但外存中任何數據只有調入內存中才能真正使用。電腦上任何一種輸入(來自外存、鍵盤、滑鼠、麥克風、掃描儀，等等)和任何一種輸出(顯示、列印、音像、寫入外存，等等)無一不是通過內存才可以進行。

內存的分類

DDR內存條

內存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要特徵是斷電後數據會丟失，我們平時說的內存就是指這一種;後者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存於主板上ROM中的 BIOS 程序，然後再由它去調用硬碟中的Windows，ROM的一個主要特徵是斷電後數據不會丟失。

根據內存條上的引腳多少，我們可以把內存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，(SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的內存結構，)168線的內存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。30線內存條已經沒有了;前兩年的流行品種是72線的內存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;市場的主流品種是168線內存條，168線內存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基於VX、TX、BX晶元組的主板才支持168線的內存條。

EDO和SDRAM

前面我們已經按引腳數的多少把內存條分為30、72和168線等幾種，其實，它們在結構和性能上還有著本質的區別。

內存的安裝詳解

譬如，72線內存條是一種EDO內存，而現今主流的168線內存條幾乎清一色又都是SDRAM內存;EDO內存的存取速度基本保持在60納秒左右，能夠適應75兆赫茲的外頻，但跑83兆赫茲則有點勉為其難了;而SDRAM內存的存取速度一般能達到10納秒左右，能夠適應100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內存已逐步被SDRAM所取代，至今，幾乎已無人再用EDO來裝機了，只有升級擴充舊電腦內存時還用得著它。

其實，EDO內存被SDRAM所取代有其必然性，因為，市場上主流CPU的主頻已高達2G赫茲，未來CPU的主頻還會越來越高。但由於傳統內存條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令周期，從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個內存瓶頸的問題，我們就必須採用新的內存結構，即SDRAM。因為，從理論上說，SDRAM與CPU頻率同步，共享一個時鍾周期。SDRAM內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲陣列訪問數據的同時，另一個已准備好讀寫數據，通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒，所以，SDRAM已成為內存發展的主流。

當然，EDO內存也並沒有完全舉手投降，相反，

憑借其出色的視頻特性和低廉的價格，在顯示內存等領域仍是連連得手，眾多低檔顯卡更是無一例外地採用EDO內存。另外，許多硬碟、光碟機和列印機也是採用EDO緩存，可見，EDO內存還真是寶刀不老啊!

RAM有些像教室里的黑板，上課時老師不斷地往黑板上面寫東西，下課以後全部擦除。RAM要求每時每刻都不斷地供電，否則數據會丟失。如果在關閉電源以後RAM中的數據也不丟失就好了，這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處於上一次關機的狀態，而不必每次都重新啟動電腦，重新打開應用程序了。但是RAM要求不斷的電源供應，那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術的進步，人們想到了一個辦法，即給RAM供應少量的電源保持RAM的數據不丟失，這就是電腦的待機功能，特別在Win2000里這個功能得到了很好的應用，休眠時電源處於連接狀態，但是耗費少量的電能。

按內存條的介面形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條(SIMM)，和雙列直插內存條(DIMM)。SIMM內存條分為30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。

按內存的工作方式，內存又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動態RAM)等形式。

FPM(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器：

thinkpad 原裝內存條

這是較早的電腦系統普通使用的內存，它每隔三個時鍾脈沖周期傳送一次數據。

EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM

擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，他每隔兩個時鍾脈沖周期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，使存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。

S(synchronous)DRAM

同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。

DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM

SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲器匯流排式動態隨機存取存儲器;

內存條

RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統帶寬，晶元到晶元介面設計的新型DRAM，他能在很高的頻率范圍內通過一個簡單的匯流排傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820晶元組產品中加入對RDRAM的支持。

內存的參數主要有兩個：存儲容量和存取時間。存儲容量越大，電腦能記憶的信息越多。存取時間則以納秒(NS)為單位來計算。一納秒等於10億分之一秒。數字越小，表明內存的存取速度越快。

D. 內存主供電引腳是第幾根

7，15，22，30，38，46，54，62，70，77，85，96，104，108，112，120，128，136，143，148，156，164，168，172，180，184引腳 電壓為2.5V

E. ddr4內存條供電腳是多少腳DDR4的定義是什麼

「DDR4」的內存條供電腳是284，DDR4定義是指第四代高速CMOS動態隨即訪問內存。

2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內存。DDR4相比DDR3最大的改進有三點：採用16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規范，數據可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節能。

(5)台式電腦內存供電引腳擴展閱讀

內存條「DDR3」與「DDR4」的外觀差異有以下幾點：

1、卡槽差異：DDR4 模組上的卡槽與 DDR3 模組卡槽的位置不同。兩者的卡槽都位於插入側，但 DDR4 卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不兼容的主板或平台中。

2、增加厚度：為了容納更多信號層，DDR4 模組比 DDR3 稍厚。

3、曲線邊：DDR4 模組提供曲線邊以方便插入和緩解內存安裝期間對 PCB 的壓力。

F. 主板電源晶元引腳定義

主板電源晶元引腳，是在電子設備系統中擔負起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責的晶元。主要負責識別CPU供電幅值，產生相應的短距波，推動後級電路進行功率輸出。常用電源管理晶元有HIP6301、IS6537、RT9237、ADP3168、KA7500、TL494等。

主要電源管理晶元有的是雙列直插晶元，而有的是表面貼裝式封裝，其中HIP630x系列晶元是比較經典的電源管理晶元，由著名晶元設計公司Intersil設計。

支持兩/三/四相供電，支持VRM9.0規范，電壓輸出范圍是1.1V-1.85V，能為0.025V的間隔調整輸出，開關頻率高達80KHz，具有電源大、紋波小、內阻小等特點，能精密調整CPU供電電壓。

(6)台式電腦內存供電引腳擴展閱讀：

主板電源晶元提高性能方法

所有電子設備都有電源，但是不同的系統對電源的要求不同。為了發揮電子系統的最佳性能，需要選擇最適合的電源管理方式。

首先，電子設備的核心是半導體晶元。而為了提高電路的密度，晶元的特徵尺寸始終朝著減小的趨勢發展，電場強度隨距離的減小而線性增加，如果電源電壓還是原來的5V，產生的電場強度足以把晶元擊穿。

所以，電子系統對電源電壓的要求就發生了變化，也就是需要不同的降壓型電源。為了在降壓的同時保持高效率，一般會採用降壓型開關電源。

同時，許多電子系統還需要高於供電電壓的電源，比如在電池供電設備中，驅動液晶顯示的背光電源，普通的白光LED驅動等，都需要對系統電源進行升壓，這就需要用到升壓型開關電源。

此外，現代電子系統正在向高速、高增益、高可靠性方向發展，電源上的微小干擾都對電子設備的性能有影響，這就需要在雜訊、紋波等方面有優勢的電源，需要對系統電源進行穩壓、濾波等處理，這就需要用到線性電源。

上述不同的電源管理方式，可以通過相應的電源晶元，結合極少的外圍元件，就能夠實現。可見，發展電源管理晶元是提高整機性能的必不可少的手段。

G. 怎麼測內存供電

，電腦的電源盒並不直接提供這樣的電壓，所以需要穩壓電路降壓後才能提供，一般用大功率的場效應管來做穩壓電路，場效應管的輸出電壓就是內存的供電，測量

H. 電腦內存按介面分幾種

分類：

1. 筆記本內存一般採用144Pin、200Pin介面。

2. 台式機內存則基本使用168Pin和184Pin介面。

拓展：

1、對應於內存所採用的不同針腳數，內存插槽類型也各不相同。筆記本內存插槽分為SIMM和DIMM。台式機系統主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內存插槽。

2、SIMM(SingleInlineMemoryMole，單列直插內存模塊)。DIMM(DualInlineMemoryMole，雙列直插內存模塊)。

RIMM(RambusInlineMemoryMole)是Rambus公司生產的RDRAM內存所採用的介面類型。

I. (筆記本和台式機)內存條的插口類型有哪些，針腳數是多少，各用什麼工藝和局限性，性能對比怎麼樣

DDR內存和DDR2內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由於DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍；而DDR2內存每個時鍾能夠以四倍於工作頻率的速度讀/寫數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
介面類型是根據內存條金手指上導電觸片的數量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數（Pin）。因為不同的內存採用的介面類型各不相同，而每種介面類型所採用的針腳數各不相同。筆記本內存一般採用144Pin、200Pin介面；台式機內存則基本使用168Pin和184Pin介面。對應於內存所採用的不同的針腳數，內存插槽類型也各不相同。目前台式機系統主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內存插槽，而筆記本內存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎上發展而來，基本原理並沒有變化，只是在針腳數上略有改變。

金手指
金手指（connecting finger）是內存條上與內存插槽之間的連接部件，所有的信號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為「金手指」。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過因為金昂貴的價格，目前較多的內存都採用鍍錫來代替，從上個世紀90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內存和顯卡等設備的「金手指」幾乎都是採用的錫材料，只有部分高性能伺服器/工作站的配件接觸點才會繼續採用鍍金的做法，價格自然不菲。

內存金手指
內存處理單元的所有數據流、電子流正是通過金手指與內存插槽的接觸與PC系統進行交換，是內存的輸出輸入埠，因此其製作工藝對於內存連接顯得相當重要。

內存插槽
最初的計算機系統通過單獨的晶元安裝內存，那時內存晶元都採用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝）封裝，DIP晶元是通過安裝在插在匯流排插槽里的內存卡與系統連接，此時還沒有正式的內存插槽。DIP晶元有個最大的問題就在於安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由於系統溫度的反復變化，它會逐漸從插槽里偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關閉，晶元不斷被加熱和冷卻，慢慢地晶元會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產生內存錯誤。
早期還有另外一種方法是把內存晶元直接焊接在主板或擴展卡里，這樣有效避免了DIP晶元偏離的問題，但無法再對內存容量進行擴展，而且如果一個晶元發生損壞，整個系統都將不能使用，只能重新焊接一個晶元或更換包含壞晶元的主板，此種方法付出的代價較大，也極為不方便。
對於內存存儲器，大多數現代的系統都已採用單列直插內存模塊（Single Inline Memory Mole，SIMM）或雙列直插內存模塊（Dual Inline Memory Mole，DIMM）來替代單個內存晶元。早期的EDO和SDRAM內存，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主，而到了DDR和DDR2時代，SIMM插槽已經很少見了。下邊具體的說一下幾種常見的內存插槽。

SIMM（Single Inline Memory Mole，單內聯內存模塊）

內存條通過金手指與主板連接，內存條正反兩面都帶有金手指。金手指可以在兩面提供不同的信號，也可以提供相同的信號。SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的內存結構，它多用於早期的FPM和EDD DRAM，最初一次只能傳輸8bif數據，後來逐漸發展出16bit、32bit的SIMM模組，其中8bit和16bitSIMM使用30pin介面，32bit的則使用72pin介面。在內存發展進入SDRAM時代後，SIMM逐漸被DIMM技術取代。
DIMM（Dual Inline Memory,雙內聯內存模塊)
DIMM與SIMM相當類似，不同的只是DIMM的金手指兩端不像SIMM那樣是互通的，它們各自獨立傳輸信號，因此可以滿足更多數據信號的傳送需要。同樣採用DIMM，SDRAM 的介面與DDR內存的介面也略有不同，SDRAM DIMM為168Pin DIMM結構，金手指每面為84Pin，金手指上有兩個卡口，用來避免插入插槽時，錯誤將內存反向插入而導致燒毀；DDR DIMM則採用184Pin DIMM結構，金手指每面有92Pin，金手指上只有一個卡口。卡口數量的不同，是二者最為明顯的區別。
為了滿足筆記本電腦對內存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Mole）也開發了出來，它的尺寸比標準的DIMM要小很多，而且引腳數也不相同。同樣SO-DIMM也根據SDRAM和DDR內存規格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳，而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。
RIMM
RIMM是Rambus公司生產的RDRAM內存所採用的介面類型，RIMM內存與DIMM的外型尺寸差不多，金手指同樣也是雙面的。RIMM有也184 Pin的針腳，在金手指的中間部分有兩個靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位數據寬度，ECC版則都是18位寬。由於RDRAM內存較高的價格，此類內存在DIY市場很少見到，RIMM介面也就難得一見了。
顆粒封裝其實就是內存晶元所採用的封裝技術類型，封裝就是將內存晶元包裹起來，以避免晶元與外界接觸，防止外界對晶元的損害。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕晶元上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在製造工序和工藝方面差異很大，封裝後對內存晶元自身性能的發揮也起到至關重要的作用。

隨著光電、微電製造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此晶元元件的封裝形式也不斷得到改進。晶元的封裝技術多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。晶元的封裝技術已經歷了幾代的變革，性能日益先進，晶元面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫性能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。

DIP封裝

上個世紀的70年代，晶元封裝基本都採用DIP（Dual ln-line Package，雙列直插式封裝）封裝，此封裝形式在當時具有適合PCB（印刷電路板）穿孔安裝，布線和操作較為方便等特點。DIP封裝的結構形式多種多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP等。但DIP封裝形式封裝效率是很低的，其晶元面積和封裝面積之比為1：1.86，這樣封裝產品的面積較大，內存條PCB板的面積是固定的，封裝面積越大在內存上安裝晶元的數量就越少，內存條容量也就越小。同時較大的封裝面積對內存頻率、傳輸速率、電器性能的提升都有影響。理想狀態下晶元面積和封裝面積之比為1：1將是最好的，但這是無法實現的，除非不進行封裝，但隨著封裝技術的發展，這個比值日益接近，現在已經有了1：1.14的內存封裝技術。

TSOP封裝

到了上個世紀80年代，內存第二代的封裝技術TSOP出現，得到了業界廣泛的認可，時至今日仍舊是內存封裝的主流技術。TSOP是「Thin Small Outline Package」的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。TSOP內存是在晶元的周圍做出引腳，採用SMT技術（表面安裝技術）直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時TSOP封裝具有成品率高，價格便宜等優點，因此得到了極為廣泛的應用。
TSOP封裝方式中，內存晶元是通過晶元引腳焊接在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得晶元向PCB辦傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內存在超過150MHz後，會產品較大的信號干擾和電磁干擾。

BGA封裝

20世紀90年代隨著技術的進步，晶元集成度不斷提高，I/O引腳數急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。為了滿足發展的需要，BGA封裝開始被應用於生產。BGA是英文Ball Grid Array Package的縮寫，即球柵陣列封裝。

採用BGA技術封裝的內存，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。BGA封裝技術使每平方英寸的存儲量有了很大提升，採用BGA封裝技術的內存產品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統TSOP封裝方式相比，BGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。
BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優點是I/O引腳數雖然增加了，但引腳間距並沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷晶元法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。

說到BGA封裝就不能不提Kingmax公司的專利TinyBGA技術，TinyBGA英文全稱為Tiny Ball Grid Array（小型球柵陣列封裝），屬於是BGA封裝技術的一個分支,是Kingmax公司於1998年8月開發成功的，其晶元面積與封裝面積之比不小於1:1.14，可以使內存在體積不變的情況下內存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。
採用TinyBGA封裝技術的內存產品在相同容量情況下體積只有TSOP封裝的1/3。TSOP封裝內存的引腳是由晶元四周引出的，而TinyBGA則是由晶元中心方向引出。這種方式有效地縮短了信號的傳導距離，信號傳輸線的長度僅是傳統的TSOP技術的1/4，因此信號的衰減也隨之減少。這樣不僅大幅提升了晶元的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。採用TinyBGA封裝晶元可抗高達300MHz的外頻，而採用傳統TSOP封裝技術最高只可抗150MHz的外頻。

TinyBGA封裝的內存其厚度也更薄（封裝高度小於0.8mm），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36mm。因此，TinyBGA內存擁有更高的熱傳導效率，非常適用於長時間運行的系統，穩定性極佳。

CSP封裝

CSP（Chip Scale Package），是晶元級封裝的意思。CSP封裝最新一代的內存晶元封裝技術，其技術性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經相當接近1:1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。

CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內存晶元在長時間運行後的可靠性，線路阻抗顯著減小，晶元速度也隨之得到大幅度提高。

CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W

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